避免半導(dǎo)體晶片厚度檢測(cè)劃傷設(shè)備-激光非接觸測(cè)厚儀

避免半導(dǎo)體晶片厚度檢測(cè)劃傷設(shè)備-激光非接觸測(cè)厚儀



非接觸式厚度測(cè)量?jī)x OZUMA CL

激光測(cè)量法

OZUMA CL 視頻

用于半導(dǎo)體晶片（Si硅晶片、GaAs、砷化鎵Ga）、砷（As）、玻璃、金屬等。它是。OZUMA CL非接觸式厚度測(cè)量裝置用于在背面拋光過(guò)程中或在每個(gè)制造過(guò)程中控制半導(dǎo)體晶片（Si硅晶片、GaAs、鎵（Ga）砷（As））的厚度（厚度）。可用于晶圓（厚度）控制的非接觸式測(cè)量?！?/font>

分辨率為 0.01 μm。

由于是激光非接觸方式 ，因此無(wú)需擔(dān)心探針等劃傷被測(cè)物體。由于是非接觸式，因此可以對(duì)同一被測(cè)物進(jìn)行厚度（厚度）、翹曲度、平行度等重復(fù)測(cè)量。由于激光傳感頭上下相對(duì)放置，因此可以準(zhǔn)確測(cè)量厚度，而不受被測(cè)物體“滑行”引起的抬升的影響。