測量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑的案例分析

發(fā)布日期：2022-04-08      瀏覽次數：573

測量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑的案例分析

可以測量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑。






硅襯底上氧化膜的測量




F54顯微自動膜厚測量系統是結合了微小區(qū)域的高精度膜厚/光學常數分析功能和自動高速平臺的系統。它與 2 英寸至 450 毫米的硅基板兼容，并以以前無法想象的速度在規(guī)定點測量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物鏡，測量光斑直徑可根據應用選擇1 μm至100 μm。

主要特點

• 將基于光學干涉原理的膜厚測量功能與自動高速載物臺相結合的系統

• 兼容 5x 至 50x 物鏡，測量光斑直徑可根據應用從 1 μm 更改為 100 μm。

• 兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板

主要用途

半導體	抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、 拋光硅片、化合物半導體、?T襯底等。
平板	有機薄膜、聚酰亞胺、ITO、cell gap等